Описание
Купить IGBT 6MBI150UB-120-02 в Харькове
Транзистор IGBTFuji Electric 6MBI150UB-120-02 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности 6MBI150UB-120-02:
- Collector-Emitter voltage VCES — 1200V
- Collector Power Dissipation PC — 735W
- AC and DC Servo drive amplifier
- Junction temperature Tj +150 °C
- Gate-Emitter voltaga VGES ±20V
- Ic Continuous Tc=25°C — 200A
- Ic Continuous Tc=80°C — 150A
- Inverter for Motor drive
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
