Описание
Купить IGBT 2MSI200VWAH-120-53 в Харькове
Транзистор IGBT 2MSI200VWAH-120-53 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности 2MSI200VWAH-120-53:
- Модульные продукты Si-IGBT и совместимость корпусов
- Применение высокопроизводительных микросхем
- 1200V, 200A, IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD
- Power Modules (SiC Modules)
- VCES(V) — 1200
- IC(A) — 200
- Tvj max(℃) — 175
- Tvjop max(℃) — 150
- TC(℃) — 125
- Tstg(℃) -40 to 125
- Package M276
- Size width (mm) — 62
- Size length (mm) — 108
- Net mass (Grams) — 370
- ЧПУ / Сервоприводы
- Низкая индуктивность
- Низкие потери
- Инверторы
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
