Описание
Купить IGBT 2MSI200VAB-120-53 в Харькове
Транзистор IGBT 2MSI200VAB-120-53 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности 2MSI200VAB-120-53:
- Модульные продукты Si-IGBT и совместимость корпусов
- 1200V, 200A, IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD
- Применение высокопроизводительных микросхем
- Power Modules (SiC Modules)
- VCES(V) Detail – 1200
- IC(A) Detail- 200
- Tvj max(℃) Detail- 175
- Tvjop max(℃) Detail- 150
- TC(℃) Detail- 125
- Tstg(℃) Detail -40 to 125
- Package M274
- Size width (mm)- 45
- Size length (mm)- 92
- Net mass (Grams)- 240
- Низкая индуктивность
- ЧПУ / Сервоприводы
- Низкие потери
- Инверторы
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
