Описание
Купить IGBT 2MBI150NE120 в Харькове
Транзистор IGBT Fuji Electric 2MBI150NE120 150A, 1200V широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности 2MBI150NE120:
- VCES — 1200V
- VGES ±20V
- IC — 150A
- IC pulse — 300A
- -IC — 150A
- -IC pulse — 300A
- PC — 1100W
- Tj +150C
- Tj -40 to +125C
- Vis AC 2500 (1min.) V
Области применения 2MBI150NE120:
- Промышленное оборудование, например, сварочные аппараты
- Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
- Источник бесперебойного питания
- Инвертор для привода двигателя
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
