Описание
Купить IGBT IXSN 50N60BD3 в Харькове
Транзистор IXYS IXSN 50N60BD3 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXSN 50N60BD3:
- Short Circuit SOA Capability
- Buck & boost configurations
- VCES — 600V
- VCGR — 600V
- VGES — 20V
- VGEM T — 30V
- IC25 — 75A
- IC90 — 50A
- ICM — 200A
- tSC — 10us
- PC — 250W
- VRRM diode — 600V
- IFAVM — 60A
- IFRM — 600A
- PD — 150W
- PD — 30g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
