Описание
Купить IGBT BSM10GD120DN2E3224 в Харькове
Транзистор IGBT EUPEC BSM10GD120DN2E3224 15A, 1200V широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности BSM10GD120DN2E3224:
- Корпус с изолированной металлической опорной пластиной
- Включая быстродействующие диоды свободного хода
- Трехфазный полномостовой
- VCE — 1200V
- Ic — 15A
- VCGR — 1200V
- VGE — 20V
- ICpuls — 30/20A
- Ptot — 80W
- Tj +150C
- Tstg -40+125C
- RthJC ≤ 1.52 K/W
- RthJCD ≤ 2 K/W
- Vis — 2500 VAC
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
