Описание
Купить IGBT FT150R12KE3G_B4 в Харькове
Транзистор IGBT EUPEC FT150R12KE3G_B4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FT150R12KE3G_B4:
- VCES — 1200М
- IC nom — 150A
- IC — 200A
- IC RM — 300A
- P tot — 700W
- VGES — 20V
- VCE sat — MAX — 2,15V
- VGEth MAX — 6,5V
- Qg — 1.40uC
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
