Описание
Купить IGBT SK150DGL12T4TE1 в Харькове
Транзистор IGBT SK150DGL12T4TE1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SK150DGL12T4TE1:
- Current (A) 150 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 63x34x12
- Optimized design for superior thermal performance
- Low inductive design
- Press-Fit contact technology
- 1200V Trench IGBT4 (T4)
- Robust and soft switching CAL4F diode technology
- PEP rectifier diode technology for enhanced power and environmental robustness
- Integrated NTC temperature sensor
- UL recognized file no. E 63 532
- Housing SEMITOP E1
- Technology Bridge
- Voltage (V) – 1600 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
