SK150DGL12T4TE1

Описание

Купить IGBT SK150DGL12T4TE1 в Харькове

Транзистор IGBT SK150DGL12T4TE1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SK150DGL12T4TE1:

• Current (A) 150 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 63x34x12
• Optimized design for superior thermal performance
• Low inductive design
• Press-Fit contact technology
• 1200V Trench IGBT4 (T4)
• Robust and soft switching CAL4F diode technology
• PEP rectifier diode technology for enhanced power and environmental robustness
• Integrated NTC temperature sensor
• UL recognized file no. E 63 532
• Housing SEMITOP E1
• Technology Bridge
• Voltage (V) – 1600 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.