Описание
Купить IGBT SK25DGD12T7ETE1 в Харькове
Транзистор IGBT SK25DGD12T7ETE1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SK25DGD12T7ETE1:
- Chip Technology IGBT T7
- Current (A) – 25 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 63x34x12
- Optimized design for superior thermal performance
- Low inductive design
- Press-Fit contact technology
- 1200V Generation 7 IGBT (T7)
- Robust and soft switching CAL4F diode technology
- PEP rectifier diode technology for enhanced power and environmental robustness
- Integrated NTC temperature sensor
- UL recognized file no. E 63 532
- Switches – CI
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
