SK25DGD12T7ETE1

Описание

Купить IGBT SK25DGD12T7ETE1 в Харькове

Транзистор IGBT SK25DGD12T7ETE1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SK25DGD12T7ETE1:

• Chip Technology IGBT T7
• Current (A) – 25 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 63x34x12
• Optimized design for superior thermal performance
• Low inductive design
• Press-Fit contact technology
• 1200V Generation 7 IGBT (T7)
• Robust and soft switching CAL4F diode technology
• PEP rectifier diode technology for enhanced power and environmental robustness
• Integrated NTC temperature sensor
• UL recognized file no. E 63 532
• Switches – CI
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.