SEMiX205GD12M7HD

Описание

Купить IGBT SEMiX205GD12M7HD в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX205GD12M7HD широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX205GD12M7HD:

• IGBT M7
• 200 A
• 130x70x17
• Solderless assembly solution with pressFit signal pins and screw power terminals
• Trench = Trenchgate technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• High overload capability
• High short circuit capability
• Low loss high density IGBTs
• UL recognized, file no. E63532
• NTC temperature sensor inside
• Voltage (V) – 1200 V
• SEMiX 5p

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.